Dioda lambda si cateva utilizari ale ei
Scris: Sâm Iun 26, 2021 12:30 pm
Dioda lambda este un circuit cu doua borne (dipol), care prezinta pe caracteristica U-I o zona cu rezistenta dinamica negativa de tip N, la fel ca dioda tunel. Poate sa inlocuiasca dioda tunel (tunnel diode) in unele aplicatii, in special la frecventa sub 200 MHz. Se poate realiza cu doua tranzistoare JFET, unul cu canal n si al doilea cu canal p.
Se poate construi dioda lambda si cu JFET cu canal n si un tranzistor bipolar pnp, dar merge mai prost ca cea doua JFET-uri.
[attachment=1]
Fara condensatorul din divizorul de tensiune din baza pnp-ului circuitul nu merge la frecventa inalta. Valoarea lui se stabileste experimental, in functie de capacitatile interne ale tranzistorului pnp. Trebuie ca divizorul de tensiune sa fie compensat in frecventa, adica sa aiba acelasi raport de divizare la toate frecventele.
In cazul dipolilor cu caracteristica de tip N trebuie sa se cunoasca curentul de varf Ip, unde incepe zona cu rezistenta negativa (dU/dI < 0), curentul de vale Iv, unde se termina zona cu Rd negativa, tensiunile Up si Uv. In functie de astea se estimeaza valoarea rezistentei negative Rd(-)=(Uv-Up)/(Iv-Ip) pentru a se putea dimensiona corect circuitul de polarizare. Trebuie ca rezistenta echivalenta a circuitului de polarizare sa fie mai mica decat modulul rezistentei negative a dipolului respectiv, pentru ca dreapta de polarizare sa intersecteze caracteristica U-I a diodei intru-un singur punct, situal pe zona de rezistenta negativa, de dorit chiar in punctul de inflexiune. Astfel dioda merge in oscilatoare sau in amplificatoare. Daca rezistenta echivalenta a circuitului de polarizare este mai mare decat modulul rezistentei negative a diodei, dreapta de polarizare va intersecta caracteristica U-I in trei puncte si dioda ar merge in circuite bistabile. Teoria respectiva (cu graficele aferente) o gasiti pe net - referire la dioda tunel.
Se poate construi dioda lambda si cu JFET cu canal n si un tranzistor bipolar pnp, dar merge mai prost ca cea doua JFET-uri.
[attachment=1]
Fara condensatorul din divizorul de tensiune din baza pnp-ului circuitul nu merge la frecventa inalta. Valoarea lui se stabileste experimental, in functie de capacitatile interne ale tranzistorului pnp. Trebuie ca divizorul de tensiune sa fie compensat in frecventa, adica sa aiba acelasi raport de divizare la toate frecventele.
In cazul dipolilor cu caracteristica de tip N trebuie sa se cunoasca curentul de varf Ip, unde incepe zona cu rezistenta negativa (dU/dI < 0), curentul de vale Iv, unde se termina zona cu Rd negativa, tensiunile Up si Uv. In functie de astea se estimeaza valoarea rezistentei negative Rd(-)=(Uv-Up)/(Iv-Ip) pentru a se putea dimensiona corect circuitul de polarizare. Trebuie ca rezistenta echivalenta a circuitului de polarizare sa fie mai mica decat modulul rezistentei negative a dipolului respectiv, pentru ca dreapta de polarizare sa intersecteze caracteristica U-I a diodei intru-un singur punct, situal pe zona de rezistenta negativa, de dorit chiar in punctul de inflexiune. Astfel dioda merge in oscilatoare sau in amplificatoare. Daca rezistenta echivalenta a circuitului de polarizare este mai mare decat modulul rezistentei negative a diodei, dreapta de polarizare va intersecta caracteristica U-I in trei puncte si dioda ar merge in circuite bistabile. Teoria respectiva (cu graficele aferente) o gasiti pe net - referire la dioda tunel.